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分立半导体
SIR826DP-T1-RE3参考图片

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SIR826DP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 80V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
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库存:52,992(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥7.8422
23526.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
90 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Reel
系列
SIR
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR826DP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
1:¥3.7629
10:¥2.6103
100:¥1.7628
500:¥1.4125
9,000:¥0.85315
18,000:查看
参考库存:46258
分立半导体
MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:17270
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V PNP LOW VCE(SAT) XTR
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
3,000:¥2.0566
参考库存:8452
分立半导体
MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:23714
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Multi-Chip Trans General Purpose
1:¥3.1527
10:¥2.6216
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05316
参考库存:25911
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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