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分立半导体
PD85035STR-E参考图片

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PD85035STR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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库存:52,922(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥254.1822
254.1822
5
¥251.5719
1257.8595
10
¥234.4411
2344.411
25
¥223.9095
5597.7375
600
¥181.8057
109083.42
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.9 dB
输出功率
35 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85035-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD85035STR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PDTD114EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.49946
5,000:¥0.39211
参考库存:28088
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二极管 - 通用,功率,开关 SS SC70 DUAL DIODE T
1:¥2.3052
10:¥1.5481
100:¥0.64523
1,000:¥0.43844
10,000:¥0.29154
20,000:查看
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二极管 - 通用,功率,开关 BAV99QA/DFN1010D-3/REEL 7" Q2/
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
5,000:¥0.30736
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SCR 400V 25A
1:¥18.2156
10:¥14.6787
100:¥11.752
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1,000:¥8.4524
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1:¥7.3789
10:¥6.0455
100:¥4.6443
500:¥3.9889
1,000:¥3.1527
1,500:¥3.1527
参考库存:8631
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    50万现货SKU

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