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分立半导体
STW75N60M6-4参考图片

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STW75N60M6-4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 32 mO typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in TO247-4 package
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数量单价合计
1
¥89.5977
89.5977
10
¥80.9871
809.871
25
¥77.2242
1930.605
100
¥67.0768
6707.68
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
72 A
Rds On-漏源导通电阻
36 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
106 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
STW75N60M6
晶体管类型
1 N Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，STW75N60M6-4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDP047N08
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
1:¥23.278
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
参考库存:7462
BYV32E-200,127
WeEn Semiconductors
分立半导体
整流器 FAST DUAL 20A 200V
1:¥9.4468
10:¥7.7631
100:¥5.9551
500:¥5.2658
参考库存:23464
NJL3281DG
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPPWR THERM TRAK
1:¥36.6572
10:¥31.1202
100:¥27.0522
250:¥25.6623
参考库存:7301
IRFPF40PBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 900V HEXFET MOSFET
1:¥28.1257
10:¥23.278
100:¥19.21
250:¥18.5998
参考库存:4278
FDS8449
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 40V N-Ch UltraFET PowerTrench
1:¥7.0738
10:¥5.9212
100:¥3.8194
1,000:¥3.0623
2,500:¥3.0623
参考库存:55495

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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