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分立半导体
STGIPN3HD60-H参考图片

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STGIPN3HD60-H

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库存:8,442(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥62.0822
62.0822
10
¥56.1723
561.723
25
¥53.562
1339.05
100
¥46.4882
4648.82
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
3 A
Pd-功率耗散
7 W
封装 / 箱体
NSDIP-L-26
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGIPN3HD60
商标
STMicroelectronics
安装风格
SMD/SMT
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
476
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGIPN3HD60-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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