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STS9P3LLH6参考图片

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STS9P3LLH6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A, STripFET H6 Power MOSFET in a SO-8 package
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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.8082
58.082
100
¥4.4635
446.35
500
¥3.955
1977.5
2,500
¥2.7685
6921.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STS9P3LLH6
晶体管类型
1 P-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
93 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
13.2 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，STS9P3LLH6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BYT51M-TR
Vishay Semiconductors
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25,000:¥1.4464
参考库存:56034
BYV98-050-TR
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整流器 4.0 Amp 50 Volt 70 Amp IFSM
12,500:¥1.9097
25,000:¥1.8306
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1PMT5950BE3/TR13
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12,000:¥3.8307
24,000:¥3.5369
参考库存:56044
VBT6045CBP-E3/4W
Vishay Semiconductors
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肖特基二极管与整流器 60A 45V Schottky PV Solar Bypass
1:¥22.8938
10:¥18.984
100:¥15.594
250:¥15.142
500:¥13.6052
参考库存:56049
APTGT50DU120TG
Microsemi
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥500.6126
参考库存:56054

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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