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分立半导体

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VS-GB400TH120U

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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库存:41,138(价格仅供参考)
数量单价合计
12
¥1,988.1559
23857.8708
36
¥1,960.3466
70572.4776
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.1 V
在25 C的连续集电极电流
660 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2.66 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB400TH120U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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肖特基二极管与整流器 3A,30V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
15,000:¥0.80682
参考库存:43611
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24,000:¥0.86106
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15,000:¥0.86106
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肖特基二极管与整流器 20A,50V,DUAL SCHOTTKY Rect,Iso
2,000:¥4.0002
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分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low-Noise Matched Transistor Array
2,000:¥28.9732
参考库存:43631
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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