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分立半导体

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STGD6NC60H-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
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数量单价合计
1
¥10.3734
10.3734
10
¥8.8366
88.366
100
¥6.78
678
500
¥5.989
2994.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
IPAK-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
62.5 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD6NC60H-1
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STGD6NC60H-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDLL4121
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
264:¥26.9731
500:¥24.0464
1,000:¥20.2835
2,500:¥18.7467
5,000:¥17.7523
参考库存:48893
1N4490US
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥78.6819
250:¥71.7663
500:¥67.0768
1,000:¥61.5511
参考库存:48898
UPA2814T1S-E2-AT
Renesas Electronics
分立半导体
MOSFET MOSFET
1:¥9.379
10:¥8.2264
25:¥7.4806
100:¥6.5427
5,000:¥3.5595
参考库存:48903
1N4752AG/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥29.1992
244:¥29.1992
500:¥26.2047
1,000:¥22.0576
2,500:¥20.9728
参考库存:48908
1N1191A
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
100:¥414.0885
参考库存:48913

  • 海量现货

    50万现货SKU

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