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分立半导体
PD85006L-E参考图片

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PD85006L-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
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数量单价合计
1
¥69.6984
69.6984
10
¥63.0088
630.088
25
¥60.0934
1502.335
100
¥52.1721
5217.21
3,000
¥38.1149
114344.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT (5x5)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD85006L-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
20.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD85006L-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC75 BR XSTR PNP
1:¥2.9154
10:¥1.9549
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.43844
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1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
5,000:¥1.11418
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1:¥307.7442
10:¥293.0655
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分立半导体
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10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.7515
5,000:¥1.11418
10,000:查看
参考库存:39917
分立半导体
整流器 200 Volt 40 Amp
1:¥71.6872
10:¥64.5456
50:¥58.7826
100:¥53.0987
参考库存:39922
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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