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分立半导体
STU6N65K3参考图片

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STU6N65K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650 V 1.1 Ohm 5.4 A SuperMESH3
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数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥6.0681
60.681
100
¥4.6669
466.69
500
¥4.1132
2056.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
系列
STU6N65K3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STU6N65K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VSSAF510HM3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5A, 100V,SlimSMA AEC-Q101 Qualified
14,000:¥0.89157
28,000:¥0.82264
参考库存:38925
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 Description:
6:¥1,917.158
12:¥1,869.5172
30:¥1,843.3125
参考库存:38930
SMBJ5928AE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥4.7912
6,000:¥4.6895
9,000:¥4.6104
参考库存:38935
STP26N65DM2
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
参考库存:1912
UES1302E3/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥157.9062
200:¥144.8434
500:¥137.9278
参考库存:38942

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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