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分立半导体
STP11NM65N参考图片

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STP11NM65N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
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数量单价合计
1
¥29.8885
29.8885
10
¥25.3572
253.572
100
¥21.9785
2197.85
250
¥20.905
5226.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP11NM65N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP11NM65N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 30V N-Channel Power MOSFET
5,000:¥1.7402
10,000:¥1.7176
25,000:¥1.6724
参考库存:25731
分立半导体
稳压二极管 4.7 Volt 1 Watt 5%
20,000:¥0.42262
45,000:¥0.37629
100,000:¥0.3616
参考库存:25736
分立半导体
稳压二极管 12 Vz 7 Ohm 1 uA 9.1 Vr 125 mA 1.5W
8,000:¥0.94468
10,000:¥0.88366
24,000:¥0.81473
50,000:¥0.78422
100,000:¥0.75258
参考库存:25741
分立半导体
整流器 20A, 150V, 35NS, DUAL RECTIFIER ISOLATED
2,000:¥3.4804
4,000:¥3.4013
10,000:¥3.1301
24,000:¥3.0058
参考库存:25746
分立半导体
桥式整流器 10A 600V Standard Bridge Rectifier
2,000:¥3.4578
3,000:¥3.1301
5,000:¥2.9154
10,000:¥2.8137
25,000:¥2.7007
参考库存:25751
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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