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分立半导体
PD84010-E参考图片

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PD84010-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
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数量单价合计
1
¥126.6278
126.6278
10
¥116.4917
1164.917
25
¥111.644
2791.1
100
¥98.3552
9835.52
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.3 dB
输出功率
10 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD84010-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD84010-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥2.8476
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100:¥0.7684
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整流器 General Purpose Rectifier 400V 1A
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.82264
1,000:¥0.52206
5,000:¥0.40002
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1:¥3.7629
10:¥2.4182
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.53788
20,000:查看
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PIN 二极管 TAPE-7 DIO-RFSS
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
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分立半导体
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1:¥1.6159
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
5,000:¥0.25312
参考库存:40817
  • 海量现货

    50万现货SKU

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