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分立半导体
STGWT20IH125DF参考图片

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STGWT20IH125DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
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库存:5,756(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.4252
29.4252
10
¥25.0521
250.521
100
¥21.6734
2167.34
250
¥20.5886
5147.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.25 kV
集电极—射极饱和电压
2.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
259 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT20IH125DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT20IH125DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 5.1 Volt 0.2W 2%
1:¥2.2261
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:122385
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.5W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:53937
分立半导体
整流器 1700 Volt 0.5A 300ns 20 Amp IFSM
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
参考库存:33939
分立半导体
MOSFET
1:¥7.1416
10:¥6.102
100:¥4.6895
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
参考库存:8941
分立半导体
稳压二极管 350mW 12V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥1.6159
10:¥1.13
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:63338
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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