BAS21E6327XT详细参数_参考价格_BAS21E6327XT PDF资料_Infineon Technologies

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	二极管 - 通用，功率，开关
产品	Switching Diodes
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
峰值反向电压	250 V
最大浪涌电流	4 A
If - 正向电流	250 mA
配置	Single
恢复时间	50 ns
Vf - 正向电压	1.25 V
Ir - 反向电流	100 uA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
资格	AEC-Q101
封装	Reel
端接类型	SMD/SMT
商标	Infineon Technologies
Pd-功率耗散	350 mW
产品类型	Diodes - General Purpose, Power, Switching
工厂包装数量	3000
子类别	Diodes & Rectifiers
零件号别名	21 BAS BAS21E6327HTSA1 E6327 SP000010217
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NVD6416ANLT4G-VF01	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET NFET DPAK 100V 19A 81MOHM	1:¥7.2998 10:¥6.2263 100:¥4.7912 500:¥4.2262 2,500:¥2.9606 10,000:查看	参考库存:13767
SQS484EN-T1_GE3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified	1:¥8.1473 10:¥7.2998 100:¥5.6274 500:¥4.1584 3,000:¥2.9154 6,000:查看	参考库存:15354
SIHG24N65EF-GE3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC	1:¥48.4883 10:¥40.1828 100:¥33.0412 250:¥32.0468 500:¥28.7359	参考库存:3811
IPD30N06S2L13ATMA4	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-CHANNEL_55/60V	1:¥8.5315 10:¥7.2659 100:¥5.5822 500:¥4.9381 2,500:¥3.4578 10,000:查看	参考库存:83103
PLZ4V7C-G3/H	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 500mW PLZ Zener MicroSMF (DO-219AC)	1:¥2.3052 10:¥1.5029 100:¥0.73789 500:¥0.63054 4,500:¥0.32318 9,000:查看	参考库存:136185