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分立半导体
STD1HN60K3参考图片

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STD1HN60K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET
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数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.1698
61.698
100
¥4.9155
491.55
500
¥4.4748
2237.4
2,500
¥3.0397
7599.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
1.2 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
9.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
27 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD1HN60K3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD1HN60K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥15.142
250:¥14.3736
500:¥12.8368
参考库存:11795
分立半导体
MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.8W
1:¥7.8422
10:¥6.4749
100:¥4.9607
500:¥4.2714
2,500:¥4.2714
参考库存:27542
分立半导体
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
1:¥7.684
10:¥6.5314
100:¥5.0285
500:¥4.4409
2,500:¥3.1075
10,000:查看
参考库存:33984
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.7685
10:¥1.9775
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
2,000:¥0.5989
参考库存:82131
分立半导体
MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V
1:¥12.1362
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8252
5,000:¥5.0737
10,000:查看
参考库存:23563
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    50万现货SKU

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