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分立半导体
STF12N60M2参考图片

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STF12N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.3337
3666.85
1,000
¥6.0794
6079.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
高度
4.6 mm
长度
16.4 mm
产品
Power MOSFET
系列
STF12N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh M2
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.2 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
9.2 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF12N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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100:¥37.2674
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250:¥47.0984
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分立半导体
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149:¥47.9459
200:¥44.0248
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1,000:¥34.9622
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整流器 2.5A 1.0Vf 200V
6,000:¥0.79891
9,000:¥0.56839
12,000:¥0.53788
参考库存:34456
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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