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分立半导体
STP11N60DM2参考图片

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STP11N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.370 Ohm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥11.9893
11.9893
10
¥10.1474
101.474
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1303
3565.15
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
370 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
16.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STP11N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
9.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.3 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
11.7 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，STP11N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MPV1965-206
Microsemi
分立半导体
变容二极管 Diodes (Varactor) RFMW
215:¥31.7304
250:¥28.589
500:¥25.6623
1,000:¥21.6734
参考库存:47866
1N4773A
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥792.3786
2:¥767.7898
5:¥767.5525
10:¥742.8168
参考库存:47871
JAN1N967B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥20.6677
379:¥20.6677
500:¥18.5998
1,000:¥15.6731
2,500:¥14.9047
5,000:¥14.2945
参考库存:47876
1N5236B-T
Rectron
分立半导体
稳压二极管 DO-35 500mW Zener 7 .5V 5%
30,000:¥0.1695
参考库存:47881
UZ4116
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥407.0938
2:¥396.0311
5:¥385.1266
10:¥374.1317
参考库存:47886

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