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分立半导体
STH185N10F3-6参考图片

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STH185N10F3-6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-6 package
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库存:9,254(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.3408
36.3408
10
¥30.8942
308.942
100
¥26.7358
2673.58
250
¥25.4363
6359.075
1,000
¥19.21
19210
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
114.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
315 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.8 mm
长度
15.8 mm
系列
STH185N10F3-6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
6.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
97.1 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
99.9 ns
典型接通延迟时间
25.6 ns
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,STH185N10F3-6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥571.5314
10:¥524.433
25:¥470.645
50:¥416.857
参考库存:44480
分立半导体
MOSFET RAIL PWR-MOS
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.6388
500:¥6.7461
参考库存:44485
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 150MW 1K 10K
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:44490
分立半导体
稳压二极管 200MW 20V
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:44495
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A Trench SBR 60V 20A 0.57Vf 0.18mA
5,000:¥2.9945
参考库存:44500
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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