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分立半导体
STGP7H60DF参考图片

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STGP7H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
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库存:6,443(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.1981
3599.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP7H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
14 A
高度
4.6 mm
长度
15.85 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP7H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 60V N-channel LL PowerTrench MOSFET
1:¥18.8258
10:¥15.9782
100:¥12.7577
500:¥11.2209
800:¥9.2999
参考库存:2929
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.8817
参考库存:6516
分立半导体
MOSFET 350mW, 60V, 340mA
1:¥2.5312
10:¥2.2713
100:¥1.2769
1,000:¥0.46895
3,000:¥0.4068
参考库存:125193
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 45V
1:¥7.1416
10:¥6.3054
25:¥5.7065
100:¥4.9946
参考库存:11470
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Trench schottky 10amp 45v
1:¥4.9155
10:¥4.3053
25:¥3.8985
100:¥3.4013
1,500:¥1.7741
4,500:查看
参考库存:28067
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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