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分立半导体
STB37N60DM2AG参考图片

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STB37N60DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
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数量单价合计
1
¥35.3464
35.3464
10
¥30.0467
300.467
100
¥26.0465
2604.65
250
¥24.6679
6166.975
1,000
¥18.6676
18667.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
210 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
产品
Power MOSFET
系列
STB37N60DM2AG
类型
High Voltage
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
21.2 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB37N60DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TLZ8V2C-GS08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 8.2 Volt 0.5 Watt IR = 7.5uA
1:¥1.7628
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
2,500:¥0.30736
5,000:查看
参考库存:77617
2N7002AQ-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 2N7002 Family
1:¥2.147
10:¥1.4803
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:153244
TZX10A-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.5W 10%
1:¥1.5368
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:145221
TZS4690-GS08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 0.5W 5%
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66896
500:¥0.56839
2,500:¥0.33787
5,000:查看
参考库存:63588
1N5235BTR
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
稳压二极管 6.8V 0.5W Zener
1:¥0.99892
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
5,000:¥0.1695
参考库存:71405

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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