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分立半导体
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STL9P3LLH6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package
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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.2376
62.376
100
¥4.7912
479.12
500
¥4.2375
2118.75
3,000
¥2.9606
8881.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-3.3x3.3-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL9P3LLH6
晶体管类型
1 P-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
93 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
13.2 ns
商品其它信息
优势价格，STL9P3LLH6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLR024NTRRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:17199
RJK03M5DNS-00#J5
Renesas Electronics
分立半导体
MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, HWSON3030-8
1:¥7.91
10:¥7.0286
25:¥6.3506
100:¥5.5596
参考库存:27796
VS-62CTQ030-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 2 x 30A IF C.A. TO-220AB
1:¥21.131
10:¥17.515
100:¥13.6052
500:¥11.9102
参考库存:22798
BSZ440N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.6105
10:¥5.6839
100:¥4.3618
500:¥3.8533
5,000:¥2.7007
10,000:查看
参考库存:77730
DMP4015SPSQ-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 40V P-Ch Enh FET 25Vgss -100A 1.3W
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
2,500:¥3.1075
参考库存:51412

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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