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分立半导体
STD12N65M2参考图片

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STD12N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
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数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.684
768.4
500
¥6.8026
3401.3
2,500
¥4.7686
11921.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
420 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
16.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD12N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STD12N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFS5H615NLT1G
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SP000934752
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6,000:¥5.9777
9,000:¥5.5257
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IPLK80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET
5,000:¥3.3674
10,000:¥3.2431
25,000:¥3.1414
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VS-20ETF06S-M3
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整流器 New Input Diodes - D2PAK-e3
1:¥22.5096
10:¥18.7467
100:¥14.5205
500:¥12.6786
1,000:¥10.5316
参考库存:47387

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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