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分立半导体
STW18N60DM2参考图片

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STW18N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥17.9783
179.783
100
¥14.3736
1437.36
500
¥12.5995
6299.75
1,000
¥10.4525
10452.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW18N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
32.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
13.5 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW18N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SWITCH HI SPEED
1:¥3.2318
10:¥2.2374
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
3,000:¥0.67574
参考库存:13845
分立半导体
稳压二极管 15V 110Ohms
1:¥3.1527
10:¥1.7515
100:¥0.9379
500:¥0.75258
2,500:¥0.43844
10,000:查看
参考库存:162392
分立半导体
IGBT 晶体管 600V Low-Vceon
1:¥23.9786
10:¥20.3626
100:¥17.6732
250:¥16.7466
500:¥14.9838
参考库存:2704
分立半导体
整流器 D MET 1A STD 800V
1:¥73.224
10:¥65.9242
25:¥60.0934
100:¥54.1722
参考库存:1961
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SM Sig Schotky Diode 30V 0.1A Single
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.49155
20,000:查看
参考库存:140478
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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