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分立半导体
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STW65N65DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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数量单价合计
1
¥63.9354
63.9354
10
¥57.7882
577.882
25
¥55.0988
1377.47
100
¥47.8668
4786.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW65N65DM2AG
类型
High Voltage
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
11.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.5 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
114 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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