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DMG1013UWQ-7

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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.7176
17.176
100
¥0.73789
73.789
1,000
¥0.56839
568.39
3,000
¥0.43053
1291.59
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
820 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
622.4 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
310 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
0.9 S
下降时间
20.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格，DMG1013UWQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5952B G
Microsemi
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1:¥34.578
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1N5926B G
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100:¥12.2944
500:¥10.7576
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100:¥58.1724
250:¥53.4829
500:¥48.7143
1,000:¥42.488
参考库存:37775

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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