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分立半导体

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2SD1963T100R

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 3A
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1
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4.9155
10
¥4.0567
40.567
100
¥2.4747
247.47
1,000
¥1.9097
1909.7
2,000
¥1.6272
3254.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
180 at 500 mA, 2 V
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
180
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格，2SD1963T100R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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