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TVS二极管
NSPM5131MUTBG参考图片

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NSPM5131MUTBG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • ESD 抑制器/TVS 二极管 13.5VRWM UNIDIRECTIONAL T
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3.6838
10
¥3.0623
30.623
100
¥1.8645
186.45
1,000
¥1.4464
1446.4
3,000
¥1.2317
3695.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
ESD 抑制器/TVS 二极管
RoHS
产品类型
ESD Suppressors
Vesd - 静电放电电压触点
30 kV
Vesd - 静电放电电压气隙
-
极性
Unidirectional
通道数量
1 Channel
端接类型
SMD/SMT
击穿电压
13.6 V
工作电压
13.5 V
钳位电压
21.5 V
Ipp - 峰值脉冲电流
160 A
Cd - 二极管电容
1550 pF
封装 / 箱体
UDFN-6
峰值脉冲功耗 (Pppm)
4.3 kW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
工厂包装数量
3000
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
商品其它信息
优势价格,NSPM5131MUTBG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:22787
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