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NAND闪存
TC58NYG1S3HBAI6参考图片

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TC58NYG1S3HBAI6

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
1
¥28.8941
28.8941
10
¥26.2838
262.838
50
¥25.5154
1275.77
100
¥22.8938
2289.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VFBGA-67
存储容量
2 Gbit
接口类型
Parallel
组织
256 M x 8
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
338
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格,TC58NYG1S3HBAI6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NAND闪存
NAND闪存 SLC 4G 512MX8 FBGA
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10:¥34.1938
25:¥33.2672
100:¥29.8094
1,000:¥27.1991
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1:¥18.8258
10:¥17.1308
25:¥16.5997
100:¥14.9047
参考库存:40810
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NAND闪存 SLC 4G 512MX8 FBGA
1:¥28.8941
10:¥26.2047
25:¥25.5154
100:¥22.8938
参考库存:40815
NAND闪存
NAND闪存
1,000:¥161.138
参考库存:40820
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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