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射频晶体管

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STBV32-AP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0905
20.905
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
系列
STBV32
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极连续电流
1.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92AP
直流电流增益 hFE 最大值
20
高度
4.5 mm
长度
4.8 mm
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.8 mm
商标
STMicroelectronics
最大直流电集电极电流
1.5 A
Pd-功率耗散
1500 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,STBV32-AP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp
1:¥1,229.9824
5:¥1,200.399
10:¥1,170.5783
25:¥1,154.2159
参考库存:2089
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Composite Transistor 2.9x2.8mm Gull Wing
3,000:¥1.03734
9,000:¥0.96841
24,000:¥0.89157
45,000:¥0.84524
参考库存:35211
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.9379
20,000:¥0.89157
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:35216
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:180541
射频晶体管
光学传感器开发工具 RPLiDAR A1M8 360 Degree Laser Scanner Kit - 12M Range
1:¥760.716
参考库存:1898
  • 海量现货

    50万现货SKU

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    保证原装正品

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