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射频晶体管
MT3S111(TE85L,F)参考图片

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MT3S111(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 700mW
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数量单价合计
1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.2149
42.149
100
¥2.7233
272.33
1,000
¥2.1809
2180.9
3,000
¥1.8419
5525.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MT3S111
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
11.5 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
12 mg
商品其它信息
优势价格，MT3S111(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BF999E6327HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
1:¥3.3787
10:¥2.825
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:47774
PXAC200902FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥408.8679
参考库存:36081
A2T21S260-12SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,170.0472
参考库存:36086
PXAC261212FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥640.5405
参考库存:36091
ASMA601
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
1:¥538.8744
10:¥494.4654
25:¥443.751
50:¥393.0366
100:¥328.491
参考库存:36096

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