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射频晶体管
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PD85006L-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
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数量单价合计
1
¥69.6984
69.6984
10
¥63.0088
630.088
25
¥60.0934
1502.335
100
¥52.1721
5217.21
3,000
¥38.1149
114344.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT (5x5)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD85006L-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
20.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD85006L-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ARF466BG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:2025
MRF10031
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1:¥498.6916
5:¥483.5496
10:¥469.3342
25:¥439.9881
参考库存:35344
TPR175
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
50:¥994.0045
参考库存:35349

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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