HFA3134IHZ96详细参数_参考价格_HFA3134IHZ96 PDF资料_Renesas / Intersil

射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Renesas Electronics
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	HFA3134
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	48
集电极—发射极最大电压 VCEO	11 V
发射极 - 基极电压 VEBO	4.5 V
集电极连续电流	0.026 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
配置	Dual
封装 / 箱体	SOT-23
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	12 V
直流电流增益 hFE 最大值	48 at 10 mA at 2 V, 48 at 1 mA at 2 V, 48 at 0.1 mA at 2 V, 48 at 10 mA at 5 V, 48 at 1 mA at 5 V, 48 at 0.1 mA at 5 V
高度	1.15 mm
长度	2.9 mm
工作频率	8500 MHz (Typ)
类型	RF Bipolar Small Signal
宽度	1.6 mm
商标	Renesas / Intersil
增益带宽产品fT	8500 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流	0.026 A
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	18 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MAPRST1214-30UF	MACOM	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 30W Gain:7.5dB	7:¥2,172.1877 10:¥2,137.1464 25:¥2,060.0804	参考库存:36755
PD55015-E	STMicroelectronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor	1:¥156.8327 5:¥155.2168 10:¥144.6852 25:¥138.1538	参考库存:4415
MRF1K50H-TF1	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF1/HWONLY///BOARDS NO MARK	1:¥7,203.75	参考库存:3387
AFT09MS031NR1	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ 13.6V	1:¥103.8922 10:¥95.5076 25:¥91.5978 100:¥80.682 500:¥71.7663	参考库存:5794
D5013UK	Semelab / TT Electronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-50V-500MHz SE	50:¥392.7315 100:¥386.5052	参考库存:36766