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射频晶体管
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BLV32F

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数量单价合计
1
¥734.8164
734.8164
10
¥674.271
6742.71
25
¥605.115
15127.875
50
¥535.959
26797.95
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
32 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
316-01
封装
Tray
工作频率
224 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
82 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，BLV32F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT05MS006NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 6 W 7.5V
1:¥28.3517
10:¥24.1255
100:¥20.905
250:¥19.8202
1,000:¥15.0629
参考库存:15411
A2T20H330W24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H330W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,118.4853
参考库存:39138
VRF151
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥423.0833
2:¥411.5573
5:¥400.1782
10:¥388.7313
参考库存:5898
MAPR-002731-115M00
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain7.6dB 115W VSWR: 2.1
5:¥2,516.4309
参考库存:39145
PTVA127002EV-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥7,143.2046
参考库存:39150

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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