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射频晶体管
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SD1485

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数量单价合计
1
¥2,204.3814
2204.3814
10
¥2,022.813
20228.13
25
¥1,815.345
45383.625
50
¥1,607.877
80393.85
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
25 A
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M175
封装
Tray
工作频率
170 MHz to 230 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
385 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,SD1485的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
1:¥775.9258
250:¥775.9258
参考库存:4247
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1317H/CFM4F///REEL 13
50:¥4,321.7076
参考库存:36554
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:36559
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:36564
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T08VD021N/HQFN24///REEL 13 Q2 DP
1,000:¥95.0556
参考库存:36569
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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