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射频晶体管

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MRF7S15100HSR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S
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数量单价合计
250
¥830.3353
207583.825
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S
封装
Reel
配置
Single
高度
4.32 mm
长度
20.7 mm
系列
MRF7S15100H
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.91 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
零件号别名
935317045128
单位重量
4.763 g
商品其它信息
优势价格，MRF7S15100HSR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFS 17S H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.842
10:¥2.8702
100:¥1.5594
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.94468
参考库存:12252
RFM08U9X(TE12L,Q)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 5A 20W 36V
1,000:¥27.8206
2,000:¥27.1991
参考库存:35379
BFU550AVL
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
10,000:¥0.52997
参考库存:35384
ARF460BG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥322.4229
2:¥313.6654
5:¥304.9757
10:¥296.2182
参考库存:2159
BFP 420 H6740
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7741
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1639
参考库存:45656

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    科技智能大仓储

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