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射频晶体管
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BLV34

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数量单价合计
1
¥668.508
668.508
10
¥557.09
5570.9
25
¥501.381
12534.525
50
¥445.672
22283.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
集电极—发射极最大电压 VCEO
75 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
15 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装
Tray
工作频率
225 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
150 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，BLV34的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAD214218FV-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,159.2105
参考库存:38162
QPD1014SR
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
200:¥315.044
参考库存:5142
MMRF1011HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011H/CFM2F///REEL 13
50:¥3,427.4482
参考库存:38169
PXAC182002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥658.5979
参考库存:38174
DU28200M
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥1,451.4285
2:¥1,427.2239
5:¥1,403.7877
10:¥1,381.1199
25:¥1,331.3321
参考库存:38179

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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