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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	290 mA
输出功率	2.4 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5.1 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113821

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MRF137	MACOM	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB	1:¥230.5991 10:¥227.1413	参考库存:6811
QPD1018	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET	1:¥4,072.52 25:¥3,672.952	参考库存:6348
QPD2195SR	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	100:¥1,349.8528	参考库存:39685
PTRA094252FC-V1-R0	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier	50:¥878.2021	参考库存:39690
NSVF4015SG4T1G	ON Semiconductor	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G	1:¥4.3844 10:¥3.616 100:¥2.2035 1,000:¥1.7063 3,000:¥1.4577	参考库存:19875