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晶体管
TK40E06N1,S1X参考图片

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TK40E06N1,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Ch PWR FET 60A 67W 23nC
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8.4524
10
¥6.7574
67.574
100
¥5.9212
592.12
500
¥4.5878
2293.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
10.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
23 nC
Pd-功率耗散
67 W
配置
Single
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK40E06N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK40E06N1,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:49322

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