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晶体管
TK10Q60W,S1VQ参考图片

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TK10Q60W,S1VQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
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数量单价合计
1
¥21.2892
21.2892
10
¥17.1308
171.308
100
¥13.7521
1375.21
500
¥11.9893
5994.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9.7 A
Rds On-漏源导通电阻
327 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
80 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
6.1 mm
长度
6.65 mm
系列
TK10Q60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.3 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
45 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK10Q60W,S1VQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PBSS301PD,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V 4A LOW SAT
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:24622
PEMH10,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.9945
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:114909
MMBFJ175
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
JFET P-Channel Switch
1:¥3.7629
10:¥2.8702
100:¥1.5594
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.94468
参考库存:35106
SN75468D
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 HV HA Darlington
1:¥6.5314
10:¥5.6048
100:¥4.2827
500:¥3.7855
参考库存:10743
FDP025N06
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V N-Channel PowerTrench
1:¥35.7306
10:¥30.3518
100:¥26.3516
250:¥24.973
500:¥22.4418
参考库存:2815

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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