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晶体管
IPI180N10N3 G参考图片

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IPI180N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 43A I2PAK-3 OptiMOS 3
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库存：10,694(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.1474
101.474
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.9269
3463.45
1,000
¥5.4579
5457.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPI180N10N3GXKSA1 IPI18N1N3GXK SP000683076
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，IPI180N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD310704PCL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
50:¥45.2565
100:¥43.1095
250:¥37.7307
500:¥36.6572
参考库存:36826
JAN2N6059
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥504.9179
5:¥483.7078
10:¥475.1763
25:¥445.5138
参考库存:36831
ALD212908APAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥45.2565
100:¥43.1095
250:¥37.7307
500:¥36.6572
参考库存:36836
JAN2N4239
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥364.764
250:¥340.4012
参考库存:36841
JAN2N2222A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥41.0303
10:¥36.5781
25:¥32.9621
100:¥30.0467
参考库存:36846

  • 海量现货

    50万现货SKU

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