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晶体管
IPB083N10N3 G参考图片

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IPB083N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
1,000
¥5.1867
5186.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
45 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPB083N10N3GATMA1 IPB83N1N3GXT SP000458812
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，IPB083N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6517TA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.9945
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
2,000:¥0.44522
参考库存:89290
FDS8876
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 30V 12.5A 8.2 OHMS NCH
1:¥6.3732
10:¥5.4127
100:¥4.1584
500:¥3.6725
2,500:¥2.5764
10,000:查看
参考库存:20057
BUK7Y9R9-80EX
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 80 V 9.9 mo FET
1:¥8.4524
10:¥7.2094
100:¥5.537
500:¥4.8929
1,000:¥3.8646
1,500:¥3.8646
参考库存:16749
BC848BLT3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.73789
100:¥0.26103
1,000:¥0.17628
10,000:¥0.11526
20,000:查看
参考库存:338086
BCP56-16T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 100V NPN
1:¥3.616
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
2,000:¥0.59212
参考库存:110813

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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