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产品分类

晶体管
IPB038N12N3GATMA1参考图片

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IPB038N12N3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:5,754(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.8722
42.8722
10
¥36.4199
364.199
100
¥31.5835
3158.35
250
¥29.9676
7491.9
1,000
¥22.6678
22667.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
211 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
83 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
G IPB038N12N3 IPB38N12N3GXT SP000694160
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB038N12N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS
1:¥7.1416
10:¥6.1585
100:¥4.7234
500:¥4.181
1,000:¥3.2996
3,000:¥3.2996
参考库存:19676
晶体管
MOSFET 30 Volt 7.1 Amp 2.0W
1:¥11.0627
10:¥9.0626
100:¥6.9947
2,500:¥6.9947
参考库存:22778
晶体管
MOSFET LDO POSITIVE REG 2.7V/1A
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:49320
晶体管
MOSFET UniFET, 400V
1:¥21.2892
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.6786
1,000:¥10.5316
参考库存:7707
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8591
500:¥6.0681
参考库存:27704
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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