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晶体管
DMN4036LK3-13参考图片

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DMN4036LK3-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
2,500
¥1.4577
3644.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
12.2 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.12 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN40
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
19.6 S
下降时间
9.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.6 ns
典型接通延迟时间
3.2 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,DMN4036LK3-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 35 A 600 V Ultra fast IGBT
1:¥33.4254
10:¥28.3517
100:¥24.5888
250:¥23.3571
参考库存:6932
晶体管
达林顿晶体管 DARL NPN 100V 2A
1:¥6.8365
10:¥5.65
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
2,000:¥2.4634
参考库存:35631
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
5,000:¥5.3223
10,000:¥5.1189
参考库存:35636
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch Power MOSFET
1:¥8.3733
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
2,500:¥3.3787
10,000:查看
参考库存:35641
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
4,000:¥0.26103
8,000:查看
参考库存:35646
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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