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晶体管
PSMN3R0-60ES,127参考图片

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PSMN3R0-60ES,127

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 3 Standard level MOSFET
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数量单价合计
1
¥15.7522
15.7522
10
¥13.3679
133.679
100
¥10.6785
1067.85
500
¥9.379
4689.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
I2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
83.4 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
130 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
306 W
配置
Single
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
77 ns
典型接通延迟时间
31 ns
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,PSMN3R0-60ES,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GP Amplification Trans
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
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双极晶体管 - 预偏置 NPN W/RES 50V
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:22454
晶体管
MOSFET PFET 3X3 20V 2.7A 140MOHM
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
3,000:¥3.0623
参考库存:22459
晶体管
MOSFET MOSFET, 600V
1:¥19.8202
10:¥17.8992
25:¥15.9782
100:¥14.3736
参考库存:22464
晶体管
MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm
1:¥45.0305
10:¥38.2618
100:¥33.1994
250:¥31.5044
4,000:¥21.7412
参考库存:22469
  • 海量现货

    50万现货SKU

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