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晶体管
DCX69-13参考图片

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DCX69-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -20Vceo
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,500
¥0.95259
2381.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 20 V
集电极—基极电压 VCBO
- 25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 500 mV
最大直流电集电极电流
- 2 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DCX69
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.48 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
50 at - 500 mA, 1 V
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,DCX69-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.9891
500:¥7.0512
2,500:¥5.4353
5,000:查看
参考库存:3738
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-2 package
1:¥36.6572
10:¥31.1202
100:¥27.0522
250:¥25.6623
1,000:¥19.3682
2,000:查看
参考库存:8140
晶体管
MOSFET N Ch 100V 0.033 Ohm 25A
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9269
2,500:¥5.3449
5,000:查看
参考库存:28057
晶体管
MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
1:¥3.842
10:¥2.9832
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
2,500:¥1.04525
10,000:¥0.97632
参考库存:53234
晶体管
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 14.6mOhms 16nC
1:¥5.4579
10:¥4.5878
100:¥2.9606
1,000:¥2.3617
4,000:¥2.3617
参考库存:50106
  • 海量现货

    50万现货SKU

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