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晶体管
ST13007DFP参考图片

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ST13007DFP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PTD HIGH VOLTAGE
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库存:8,036(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.9664
59.664
100
¥4.5878
458.78
500
¥4.0454
2022.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
最大直流电集电极电流
8 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ST13007DFP
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
18 at 2 A, 5 V, 8 at 5 A, 5 V
Pd-功率耗散
36000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,ST13007DFP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 60V 5.0 OHM SOT323
1:¥1.695
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:2948806
晶体管
MOSFET
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.2885
5,000:¥5.1076
10,000:查看
参考库存:33458
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
暂无价格
参考库存:30628
晶体管
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:1598805
晶体管
IGBT 晶体管 650 V 80 A 268 W
1:¥33.8887
10:¥28.815
100:¥24.973
250:¥23.7413
500:¥21.2892
参考库存:31642
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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