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晶体管
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CSD17483F4

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-CH Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.3843
23.843
100
¥0.88366
88.366
1,000
¥0.67574
675.74
3,000
¥0.51528
1545.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.01 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FemtoFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD17483F4
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
2.4 S
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.6 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17483F4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥3.1527
10:¥2.3956
100:¥1.2995
1,000:¥0.97632
3,000:¥0.84524
参考库存:36417
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.82264
1,000:¥0.63054
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.2487
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
2,000:¥0.67574
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晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.5369
10:¥2.9493
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:26093
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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