MMUN2134LT1G详细参数_参考价格_MMUN2134LT1G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：182,589(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	22 kOhms
典型电阻器比率	0.47
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	246 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MMUN2134L
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.94 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

优势价格，MMUN2134LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD25484F4	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 8mil version of CSD25481F4	1:¥2.8476 10:¥2.147 100:¥1.1865 1,000:¥0.89157 3,000:¥0.7684	参考库存:407225
QPD1003	Qorvo	晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN	1:¥4,702.608	参考库存:2012
FF600R12KE4BOSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 LOW POWER EASY	1:¥1,440.75 5:¥1,406.0929 10:¥1,371.2098 25:¥1,352.0789	参考库存:2049
NTHL065N65S3F	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SUPERFET3 650V TO247	1:¥47.3357 10:¥40.2619 100:¥34.8831 250:¥33.0412	参考库存:4466
F3L100R12W2H3_B11	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块	1:¥453.356 5:¥443.1408 10:¥425.8518 25:¥412.1675	参考库存:2083