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产品分类

晶体管
BFR 182W H6327参考图片

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BFR 182W H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.1866
31.866
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR182
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
35 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR182WH6327XT BFR182WH6327XTSA1 SP000750420
单位重量
60 mg
商品其它信息
优势价格,BFR 182W H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.616
10:¥1.7628
100:¥1.2091
500:¥0.99101
10,000:¥0.56839
20,000:查看
参考库存:24243
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥1.4577
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:36745
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥22.2045
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.221
1,000:¥10.9158
参考库存:4247
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥48.7934
10:¥43.8779
25:¥39.9568
100:¥36.0357
参考库存:2179
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
参考库存:6751
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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