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晶体管
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BD435STU

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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.955
39.55
100
¥2.4182
241.82
1,000
¥1.8645
1864.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
32 V
集电极—基极电压 VCBO
32 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD435
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
36 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
零件号别名
BD435STU_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,BD435STU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.2942
500:¥7.2885
参考库存:6537
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
1:¥415.3993
10:¥390.9574
25:¥378.7421
50:¥366.5268
参考库存:2369
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:60276
晶体管
MOSFET 8V Pch MOSFET
1:¥4.5313
10:¥3.7629
100:¥2.4295
1,000:¥1.9436
3,000:¥1.6498
9,000:查看
参考库存:9578
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W
1:¥10.2943
10:¥8.2942
100:¥7.2433
500:¥5.6048
1,000:¥4.4296
2,500:¥3.9211
参考库存:132995
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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