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晶体管
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2SD2657TL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 1.5A
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数量单价合计
1
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3.0736
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.00683
3020.49
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
140 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SD2657
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 100 mA, 2 V
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
270
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
2SD2657
商品其它信息
优势价格,2SD2657TL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 25V 25V - 0.0037
1:¥11.4469
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.78
2,500:¥5.2319
5,000:查看
参考库存:14057
晶体管
IGBT 晶体管 Copak Discrete
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
500:¥14.6787
参考库存:14784
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,061.3864
10:¥973.947
25:¥874.055
50:¥774.163
参考库存:1446
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg
1:¥3.616
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
9,000:¥0.90626
参考库存:173768
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V 300mA
1:¥3.3787
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
10,000:¥0.66105
20,000:查看
参考库存:113835
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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